| 发明名称 | 一种铜互连结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铜互连结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成通孔；进行氮化钽层的沉积；进行反溅射工艺，同时进行钽层的淀积；填充金属铜。该方法减少或消除通孔底部的氮化钽层，进而减小互连结构的电阻率，进一步提高互连结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106158733A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510192572.9 | 申请日期 | 2015.04.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 高建峰;赵超;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;江怀勤 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成通孔；进行氮化钽层的沉积；进行反溅射工艺，同时，进行钽层的淀积；填充金属铜。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||