| 发明名称 | 坩埚硅材的装填方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种坩埚与坩埚硅材的装填方法。此坩埚包括底板以及涂层。底板具有一表面。涂层设置在底板的表面上。此涂层包括相对的第一面与第二面，第二面与底板的表面接触。多个第一孔，设置于涂层上，且多个第一孔沿涂层的第一面朝第二面的方向延伸凹设。所述坩埚硅材的装填方法，包括：提供坩埚，其中该坩埚包括底、以及形成于该底板的一表面上的涂层；铺设第一硅料层于该涂层上；以及铺设第二硅料层于该第一硅料层上，其中，透过该第二硅料层的重量施压于该第一硅料层上，以使该第一硅料层在该涂层中形成多个第一孔，其中所形成的该多个第一孔的孔密度为2个/cm<sup>2</sup>～100个/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN103806096B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210460387.X | 申请日期 | 2012.11.15 |
| 申请人 | 茂迪股份有限公司 | 发明人 | 杨镇豪;何铠安;周建纲 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种坩埚硅材的装填方法，包括：提供坩埚，其中该坩埚包括底板以及形成于该底板的一表面上的涂层；铺设第一硅料层于该涂层上；以及铺设第二硅料层于该第一硅料层上，其中，通过该第二硅料层的重量施压于该第一硅料层上，以使该第一硅料层在该涂层中形成多个第一孔，其中所形成的该多个第一孔的孔密度为2个/cm<sup>2</sup>～100个/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 地址 | 中国台湾新北市深坑区北深路三段248号6楼 | ||