| 发明名称 | 栅介质层及MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种栅介质层及MOS晶体管的形成方法。其中栅介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成二氧化硅层；在至少一次高功率高占空比条件下，于二氧化硅层表面注入氮离子；在各次高功率高占空比条件下注入氮离子之前或之后，于低功率低占空比或低功率高占空比或高功率低占空比条件下，向二氧化硅层表面注入氮离子。本发明保证了氮氧化硅层的氮元素分布更接近表面，在表面的比例更大，又避免了氮离子对半导体衬底的破坏，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103165431B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201110428309.7 | 申请日期 | 2011.12.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;禹国宾;吴兵 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成二氧化硅层；在至少一次高功率高占空比条件下，于二氧化硅层表面注入氮离子，形成预定厚度的氮氧化硅层，所述二氧化硅层与氮氧化硅层构成栅介质层；在各次高功率高占空比条件下注入氮离子之前或之后，于低功率低占空比或低功率高占空比或高功率低占空比条件下，向二氧化硅层表面注入氮离子，提高栅介质层的K值，所述高功率为900W～2500W，所述低功率为300W，所述高占空比为10％～100％，所述低占空比为3％。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||