发明名称 |
具有晶体管单元和增强单元的半导体器件 |
摘要 |
提供了具有晶体管单元和增强单元的半导体器件。一种半导体器件包括晶体管单元(TC)和增强单元(EC)。每个晶体管单元(TC)包括与漂移结构(120)形成第一pn结(pn1)的本体区(115)。晶体管单元(TC)可以在第一控制信号(C1)超过第一阈值(Vthx)时在本体区(115)中形成反型沟道(115x)。反型沟道(115x)形成漂移结构(120)与第一负载电极(310)之间的连接的一部分。延迟单元(400)生成第二控制信号(C2),第二控制信号(C2)的后沿相对于第一控制信号(C1)的后沿延迟。增强单元(EC)在第二控制信号(C2)下降到低于比第一阈值(Vthx)低的第二阈值(Vthy)时在漂移结构(120)中形成反型层(120y)。反型层(120y)作为少数电荷载流子发射极起效。 |
申请公布号 |
CN105720054A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201510975028.1 |
申请日期 |
2015.12.23 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
R.巴布尔斯克;M.戴内泽;C.耶格;J.G.拉文 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张凌苗;王传道 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:晶体管单元(TC),包括与漂移结构(120)形成第一pn结(pn1)的本体区(115),所述晶体管单元(TC)配置为在所述本体区(115)中形成反型沟道(115x),在第一控制信号(C1)超过第一阈值(Vthx)时,所述反型沟道(115x)形成所述漂移结构(120)与第一负载电极(310)之间的连接的一部分;延迟单元(400),配置为生成第二控制信号(C2),所述第二控制信号(C2)的后沿相对于所述第一控制信号(C1)的后沿延迟;以及增强单元(EC),配置为在所述第二控制信号(C2)下降到低于比所述第一阈值(Vthx)低的第二阈值(Vthy)时在所述漂移结构(120)中形成反型层(120y),其中所述反型层(120y)作为少数电荷载流子发射极起效。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |