| 发明名称 | 绝缘体上硅MOS晶体管结构 | ||
| 摘要 | 根据本发明的绝缘体上硅MOS晶体管结构包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区。其中，有源区包括源极区域S以及漏极区域。其中，在第一方向上，依次布置了第一浅沟槽隔离区的第一部分、第二浅沟槽隔离区的第一部分、有源区、第二浅沟槽隔离区的第二部分、第一浅沟槽隔离区的第二部分；并且在第二方向上，依次布置了漏极区域、沟道区域、源极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102254949B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201110218147.4 | 申请日期 | 2011.08.01 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 蒙飞 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种绝缘体上硅MOS晶体管结构，其特征在于包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；所述绝缘体上硅MOS晶体管结构还包括：布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区；其中，有源区包括源极区域S以及漏极区域，在第一方向上，依次布置了第一浅沟槽隔离区的第一部分、第二浅沟槽隔离区的第一部分、有源区、第二浅沟槽隔离区的第二部分、第一浅沟槽隔离区的第二部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||