| 摘要 |
半導体ターゲット（１０）を形成するための方法であって、この方法は、外端に沿った基板周面（２０）を規定している主基板面（１４）半導体基板（１２）を準備することを含んでいる。半導体基板（１２）は、更に前記主基板面上に配置され、構造体層周側面（３２）を有する構造体層（３０）とを有し、この構造体層周側面は、構造体層により覆われていない周囲基板領域（２２）を前記基板周面に沿って形成するように、前記基板周面（２０）に対して内方に位置されている。この方法は、更に、前記半導体基板と構造体層との上に、導電体層（３８）を形成することを含み、この導電体層は、前記周囲基板領域（２２）の接触部分（２３）と電気的に接触するように、前記構造体層周側面（３２）を超えて延びている。【選択図】 図６ |
