一种在IGBT管栅极下方形成厚场氧的方法

摘要

本发明公开了一种形成厚场氧的方法，用于在IGBT管半成品栅极下方形成厚场氧，该方法包括：向放有IGBT管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对IGBT管半成品进行场氧化，在IGBT管半成品的光刻区生成场氧化层，获得第一IGBT管半成品；将第一IGBT管半成品的光刻区以外的其它区域的氧化层剥离，并在剥离氧化层后的第一IGBT管半成品表面形成牺牲氧化层，获得第二IGBT管半成品；将第二IGBT管半成品的牺牲氧化层剥离，用于清除残留在第二IGBT管半成品表面的杂质，并在剥离牺牲氧化层后的第二IGBT管半成品表面形成栅氧化层，获得在栅极下方具有厚场氧的第三IGBT管半成品。

主权项

一种形成厚场氧的方法，用于在IGBT管半成品栅极下方形成厚场氧，其特征在于，所述方法包括：向置放有所述IGBT管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对所述IGBT管半成品进行场氧化，在所述IGBT管半成品的光刻区生成场氧化层，获得第一IGBT管半成品；将所述第一IGBT管半成品的光刻区以外的其它区域的氧化层剥离，并在剥离氧化层后的所述第一IGBT管半成品表面形成牺牲氧化层，获得第二IGBT管半成品；将所述第二IGBT管半成品的所述牺牲氧化层剥离，用于清除残留在所述第二IGBT管半成品表面的杂质，并在剥离所述牺牲氧化层后的所述第二IGBT管半成品表面形成栅氧化层，获得在栅极下方具有厚场氧的第三IGBT管半成品。