半导体晶片的清洗方法

摘要

本发明是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法，该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。由此，在半导体晶片的清洗中，提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。

主权项

一种半导体晶片的清洗方法，具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序，该半导体晶片的清洗方法，其特征在于，通过将进行臭氧水清洗之后进行HF清洗，或者进行HF清洗之后进行臭氧水清洗的过程交替地反复两次以上进行清洗而进行上述半导体晶片的清洗，在上述半导体晶片的清洗方法中的最初的HF清洗中，去除形成于上述半导体晶片表面的氧化膜全部，在上述半导体晶片的清洗方法中的第二次以后的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。