| 发明名称 | ICP_MS测试中Cu含量的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ICP_MS测试中Cu含量的检测方法，包括：步骤1，提供硅光片；步骤2，对所述硅光片表面进行氧化处理；步骤3，检测出Cu含量。本发明通过对硅光片进行氧化处理，使其表面被氧化，即将硅光片表面的Si转换为Si-O键，在后续的ICP_MS测试中，无Si-Cl键对Cu含量进行干扰，使得Cu含量的检测更为准确，降低了误检率，进而提高了产品的产率，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105470157A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201410464696.3 | 申请日期 | 2014.09.12 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 范洁修;张凌越;赵占玉 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种ICP_MS测试中Cu含量的检测方法，其特征在于，包括：步骤1，提供硅光片；步骤2，对所述硅光片表面进行氧化处理；步骤3，检测出Cu含量。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||