发明名称 场效应晶体管、边缘结构及相关制造方法
摘要 提出了一种场效应晶体管、用于该场效应晶体管的边缘结构及其制造方法。根据本公开的实施例,场效应晶体管包括形成于有效单元区域中的晶体管单元和形成于边缘区域中的边缘结构。该边缘结构包含多个槽型隔离单元,由边缘区域的内侧至外侧方向依次排布;其中最靠近边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将场效应晶体管的体区分隔成有效体区和电悬浮的悬浮体区;并且该起始槽型隔离单元与晶体管单元的栅区电耦接,其余槽型隔离单元电悬浮。该边缘结构不仅能很好的将边缘区域与有效单元区域隔离,以保护有效单元区域中的晶体管单元不受边缘区域载流子的影响,而且解决了起始槽型隔离单元易于击穿的问题,具有相对较高的反向击穿电压和较好的工作稳定性。
申请公布号 CN103268887B 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201310205319.3 申请日期 2013.05.29
申请人 成都芯源系统有限公司 发明人 马荣耀;李铁生;王怀锋
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 主分类号 H01L29/06(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种场效应晶体管,包括:衬底,包括有效单元区域和边缘区域,所述边缘区域位于所述有效单元区域的外围;多个晶体管单元,形成于所述有效单元区域中,其中每个晶体管单元包括漏区、栅区、有效体区和源区,所述源区位于所述有效体区中,且与所述栅区横向相邻地形成于所述栅区的两侧;悬浮体区,位于所述边缘区域中;以及多个槽型隔离单元,形成于所述边缘区域中,由所述边缘区域的内侧向所述边缘区域的外侧方向依次排布;其中:每个槽型隔离单元包括形成于第一型沟槽中的介电层和导电层,该介电层布于该第一型沟槽的侧壁和底部,该导电层填充布有该介电层的该第一型沟槽;所述多个槽型隔离单元中最靠近所述边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将所述有效体区与所述悬浮体区隔离,使所述悬浮体区电悬浮;并且所述起始槽型隔离单元与所述晶体管单元的栅区电耦接,其余槽型隔离单元电悬浮。
地址 611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号