一种碳化硅材料上制备栅介质的方法

摘要

本发明公布了一种在碳化硅上制备栅介质材料的方法，该方法包括：在碳化硅表面通过在N2O环境中退火的方式生长1纳米厚氧化硅；采用原子层沉积的方法制备三氧化二铝介质薄膜1纳米，前躯体采用三甲基铝和水，再采用原子层沉积的方法制备三氧化二铝介质薄膜1纳米，前躯体采用三甲基铝和臭氧，再采用氮气等离子体处理表面；按照步骤(2)循环5次；最后采用N2O环境下退化。

主权项

一种在碳化硅上制备栅介质材料的方法，所述方法如下：(1) 在碳化硅表面通过在N2O环境中退火的方式生长1‑10纳米厚氧化硅，预定温度为1000‑1300℃；(2) 然后采用原子层沉积的方法在步骤(1)完成的衬底上制备三氧化二铝介质薄膜1个周期，前躯体采用三甲基铝和水，再采用前躯体采用三甲基铝和臭氧的方法生长三氧化二铝介质薄膜1个周期，再采用氮气等离子体对介质表面进行等离子吹扫；(3) 按照步骤(2)循环5‑10次；(4) 最后将生长好栅介质的碳化硅片在N2O环境下退火30秒到2分钟，预定温度为300‑900℃。