| 发明名称 | 透明导电性薄膜 | ||
| 摘要 | 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105452520A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201580001267.5 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 川上梨恵;加藤大贵;佐佐和明;待永广宣;宫崎司;上田恵梨 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种透明导电性薄膜，其特征在于，其具备：透明基材；配置在所述透明基材的厚度方向的一侧、由树脂层形成的第1光学调整层；在所述第1光学调整层的厚度方向的一侧、以与所述第1光学调整层接触的方式配置的无机物层；配置在所述无机物层的厚度方向的一侧的透明导电层，所述无机物层的厚度为10nm以下，所述透明导电层的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||