| 发明名称 |
记忆体晶片、记忆体设备、及用于记忆体的方法 |
| 摘要 |
施例用于资料相关提升(Data dependent boosted,DDB)的位元单元，其不一定需要增加装置的维度即可允许较小的最小单元供应(Vmin)。
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| 申请公布号 |
TWI527054 |
申请公布日期 |
2016.03.21 |
| 申请号 |
TW101112782 |
申请日期 |
2012.04.11 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
库卡尼 杰帝;索美斯卡 丹许;权斯 詹姆士;德 微威克 |
| 分类号 |
G11C7/12(2006.01);G11C7/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种记忆体晶片，其包括：记忆体单元的读取埠，该读取埠包括：读取字元线(RWL)节点及资料电晶体控制节点；以及耦合于该读取字元线节点与该资料电晶体控制节点之间的电容性装置；及N型电晶体，系耦合于该资料电晶体控制节点与该记忆体单元的位元节点之间。
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| 地址 |
美国 |
