发明名称 Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
摘要 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 면 및 상기 제1 면에 반대하는 제2 면을 갖는 기판을 마련한다. 상기 기판의 상기 제2 면 상에 제1 절연막을 형성한다. 상기 제1 절연막 상에 희생막을 형성한다. 상기 기판을 관통하며 상기 제1 면으로부터 상기 희생막의 일부까지 연장된 개구를 형성한다. 상기 개구의 내벽 상에 제2 절연막을 형성한다. 상기 개구를 채우는 플러그를 형성한다. 상기 희생막을 제거하여 상기 플러그의 하부를 상기 제2 면으로부터 노출시킨다. 상기 플러그의 하부를 노출시키는 단계 이전에 상기 기판의 제1 면은 상기 제1 절연막에 의해 이미 도포되어 있고, 상기 제2 접속부의 외측벽은 상기 제2 절연막에 의해 이미 도포되어 있다. 따라서, 이 후의 식각 공정 등과 같은 공정들을 수행할 때, 구리와 같은 상기 플러그의 금속이 상기 기판 내부로 확산되는 것을 방지하여 상기 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
申请公布号 KR101604607(B1) 申请公布日期 2016.03.18
申请号 KR20090101623 申请日期 2009.10.26
申请人 삼성전자주식회사 发明人 이규하;윤민승;이의형;최주일;김남석;마금희
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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