双薄膜电晶体及其制造方法

摘要

膜电晶体包含第一半导体层、闸极、第二半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极、第一汲极、第二源极及第二汲极。第一半导体层设置于基材上。闸极设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于闸极上，第一半导体层及第二半导体层为同一导电型。第一绝缘层设置于第一半导体层与闸极之间。第二绝缘层设置于闸极与第二半导体层之间。第一源极及第一汲极设置于基材与第二绝缘层之间，第一半导体层接触第一源极之一部分及第一汲极之一部分。第二源极及第二汲极设置于第二绝缘层上，第二半导体层接触第二源极之一部分及第二汲极之一部分。

主权项

一种双薄膜电晶体，包含：一第一半导体层，设置于一基材上；一闸极，设置于该第一半导体层上；一第二半导体层，设置于该闸极上，其中该第一半导体层及该第二半导体层为同一导电型；一第一绝缘层，设置于该第一半导体层与该闸极之间；一第二绝缘层，设置于该闸极与该第二半导体层之间；一第一源极及一第一汲极，设置于该基材与该第二绝缘层之间，且该第一半导体层接触该第一源极之一部分及该第一汲极之一部分；以及一第二源极及一第二汲极，设置于该第二绝缘层上，且该第二半导体层接触该第二源极之一部分及该第二汲极之一部分。