| 发明名称 |
NANOSTRUCTURES AND NANOFEATURES WITH SI (111) PLANES ON SI (100) WAFERS FOR III-N EPITAXY |
| 摘要 |
제1 결정 방향을 갖는 기판 상의 절연층 위에 걸쳐 있는 핀이 제2 결정 방향을 따라 정렬되는 면을 형성하기 위해 변경된다. 디바이스 층은 제2 결정 방향을 따라 정렬되는 핀의 면 위에 피착된다. |
| 申请公布号 |
KR20160029005(A) |
申请公布日期 |
2016.03.14 |
| 申请号 |
KR20157032507 |
申请日期 |
2013.06.28 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
DASGUPTA SANSAPTAK;THEN HAN WUI;GARDNER SANAZ K.;CHU KUNG BENJAMIN;RADOSAVLJEVIC MARKO;SUNG SEUNG HOON;CHAU ROBERT S. |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/02;H01L29/06;H01L29/778 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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