发明名称 用于电子元件的制造方法与制造设备
摘要 明系关于一种电子元件的制造方法,其系包含下列步骤:提供一基板,其具有一第一表面;提供一电子元件,该电子元件之至少一面具有导电块;使位于该电子元件之至少一面的该导电块固定于该基板的该第一表面以形成一整体组件,其中该导电块之间的间距系小于100微米,该电子元件与该基板之间的缝隙系小于50微米;从该电子元件的多个侧边施加一毛细型底部填充物(capillary underfill),使该填充物沿着该电子元件与该基板之间的该缝隙爬行并填充该缝隙,以形成对该导电块之保护;将该整体组件置入一处理腔室中;使该腔室内的温度上升至一第一预定温度;使该腔室内的压力下降至为真空压力的一第一预定压力,并维持该真空压力经过一预定时间;使该腔室内的压力上升至大于1大气压力的一第二预定压力,并维持该第二预定压力经过一预定时间;及将该腔室内的温度调节至一第二预定温度。本发明亦关于一种用于电子元件的制造设备。
申请公布号 TWI525721 申请公布日期 2016.03.11
申请号 TW103119250 申请日期 2014.06.03
申请人 印鋐科技有限公司 发明人 洪淑慧
分类号 H01L21/58(2006.01);H01L23/28(2006.01) 主分类号 H01L21/58(2006.01)
代理机构 代理人 周良吉
主权项 一种电子元件的制造方法,包含下列步骤:提供一基板,其具有一第一表面;提供一电子元件,该电子元件之至少一面具有导电块;使位于该电子元件之至少一面的该导电块固定于该基板的该第一表面以形成一整体组件,其中该导电块之间的间距系小于100微米,该电子元件与该基板之间的缝隙系小于50微米;从该电子元件的多个侧边施加一毛细型底部填充物(capillary underfill),使该填充物沿着该电子元件与该基板之间的该缝隙爬行并填充该缝隙,以形成对该导电块之保护;将该整体组件置入一处理腔室中;使该腔室内的温度上升至一第一预定温度;预调整该腔室内的压力;使该腔室内的压力上升至大于1大气压力的一第二预定压力,并维持该第二预定压力经过一预定时间;及将该腔室内的温度调节至一第二预定温度,其中,预调整该腔室内的压力之该步骤包含下列步骤:(a)使该腔室内的压力下降至为真空压力的一第一预定压力,并维持该第一预定压力经过一预定时间;及(b)使该腔室内的压力从该第一预定压力上升至一第一返回压力,其中该第一返回压力≦1大气压力,或者该第一返回压力≧1大气压力,其中,执行步骤(a)至步骤(b)一或多次,以及该第二预定压力大于该第一返回压力。
地址 新竹市东区光复路1段89巷165号4楼
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