发明名称 |
半導体イメージ・センサ |
摘要 |
An image sensor (10) has an image sensing element that includes an N-type conducting region (26) and a P-type pinned layer (37). The two regions form two P-N junctions at different depths that increase the efficiency of charge carrier collection at different frequencies of light. The conducting region (26) is formed by an angle implant that ensures that a portion of the conducting region (26) can function as a source of a MOS transistor (32). |
申请公布号 |
JP5868932(B2) |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
JP20130260219 |
申请日期 |
2013.12.17 |
申请人 |
インテレクチュアル ベンチャーズ セカンド エルエルシー |
发明人 |
クリフォード アイ ドロウレイ;マーク エス スェンソン;ジェニファー ジェイ パターソン;シュリナス ラマスワミ |
分类号 |
H01L27/146;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L31/10 |
主分类号 |
H01L27/146 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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