二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法

摘要

本发明涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述引脚（3）的台阶面上设置有金属层（4），所述基岛（2）背面正装有芯片（6），所述芯片（6）表面与金属层（4）表面之间通过金属线（7）相连接，所述金属基板框（1）内部区域填充有塑封料（8），所述塑封料（8）正面与引脚（3）台阶面齐平，所述塑封料（8）背面与金属基板框（1）背面齐平，所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的正面和背面设置有抗氧化层（9），所述引脚（3）背面设置有金属球（10）。本发明的有益效果是：它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

主权项

一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、贴光阻膜作业在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；步骤四、披覆抗氧化剂在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域披覆抗氧化剂；步骤五、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤六、贴光阻膜作业在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；步骤八、蚀刻在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十、贴光阻膜作业在步骤八完成蚀刻后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面蚀刻区域后续需要进行电镀的区域；步骤十二、电镀金属线路层在步骤十一中金属基板背面蚀刻区域去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面形成相应的基岛和引脚；步骤十三、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十四、装片在步骤十二形成的基岛背面通过导电或不导电粘结物质植入芯片；步骤十五、金属线键合在芯片正面与步骤十二形成的引脚之间进行键合金属线作业；步骤十六、环氧树脂塑封在完成装片打线后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护；步骤十七、贴光阻膜作业在步骤十六完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域；步骤十九、蚀刻在步骤十八中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；步骤二十、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤二十一、植球在步骤二十去除光阻膜后的引脚背面植入金属球。