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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMING METHOD OF THE SAME
摘要 본 발명은 반도체 소자 및 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 반도체 기판, 반도체 기판에 배치된 제1 웰 영역, 제1 웰 영역 상에 배치된 제1 게이트 전극, 및 제1 웰 영역과 제1 게이트 전극 사이에 개재된 제1 N형 케핑 패턴, 제1 P형 케핑 패턴, 및 제1 게이트 절연 패턴을 포함한다.
申请公布号 KR101591944(B1) 申请公布日期 2016.02.11
申请号 KR20090041271 申请日期 2009.05.12
申请人 삼성전자주식회사 发明人 박홍배;조학주;홍석훈;현상진;나훈주;홍형석
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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