半导体装置

摘要

明的目的之一就是提供一种具有新的结构的半导体装置。一种半导体装置，其中串联连接有多个记忆元件，多个记忆元件各自包括具有第一至第三闸极电极、第一至第三源极电极以及第一至第三汲极电极的第一至第三电晶体，第二电晶体包含氧化物半导体层，第一闸极电极与第二源极电极和第二汲极电极中的其中一者电连接，第一布线、第一源极电极以及第三源极电极电连接，第二布线、第一汲极电极以及第三汲极电极电连接，第三布线与第二源极电极和第二汲极电极中的另一者电连接，第四布线和第二闸极电极电连接，并且第五布线和第三闸极电极电连接。

主权项

一种半导体装置，包括：包含半导体材料的基板；包含第一闸极电极、第一源极电极及第一汲极电极的第一电晶体；包含第二闸极电极、第二源极电极及第二汲极电极的第二电晶体，该第二汲极电极及该第二源极电极的其中之一电连接至该第一闸极电极；以及包含第三闸极电极、第三源极电极及第三汲极电极的第三电晶体，该第三源极电极及该第三汲极电极的其中之一电连接至该第一源极电极及该第一汲极电极的其中之一，且该第三源极电极及该第三汲极电极的其中之另一电连接至该第一源极电极及该第一汲极电极的其中之另一，其中，该第一电晶体的通道形成区包含于该基板中，并且其中，该第二电晶体包含氧化物半导体层，该第二电晶体的通道形成区包含于该氧化物半导体层中。