| 发明名称 | 相变存储器检测结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变存储器检测结构及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。本发明利用该相变存储器检测结构，在正常的相变存储单元旁边设置相变电阻伪单元，使得相变电阻材料处于浮空状态以免受电场的影响，以此对比来检测相变电阻材料是否受到工艺中电场条件的影响，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺中偏压条件影响的差异，进而优化工艺参数，提高相变单元的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105280815A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510626675.1 | 申请日期 | 2015.09.28 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 高丹;刘波;宋志棠;詹奕鹏 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种相变存储器检测结构，其特征在于，所述相变存储器检测结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||