一种制备无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的方法

摘要

本发明提供一种制备无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的方法，先对具有栅极预制备结构的硅衬底注入离子形成浅结，栅极设置在硅衬底的P型或N型阱区上，栅极预制备结构和硅衬底之间还设有栅氧化物层。在O₂气氛环境下制备成型栅极，去除硅衬底表面粘污和制备成型栅极过程中暴露出的栅氧化层。在硅衬底表面和栅极表面一次淀积第一侧墙层和第二侧墙层，对侧墙进行刻蚀形成第一侧墙和第二侧墙。

主权项

一种制备无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1，对具有栅极预制备结构的硅衬底注入离子形成浅结，所述栅极预制备结构设置在硅衬底的P型或N型阱区上，所述栅极预制备结构为无定形碳材料，所述栅极预制备结构和硅衬底之间还设有栅氧化物层；步骤2，在O₂气氛环境下制备所述无定形碳牺牲栅极结构，以将所述栅极预制备结构的尺寸缩小到所述无定形碳牺牲栅极结构所需的大小，并去除硅衬底表面粘污和制备所述无定形碳牺牲栅极结构过程中暴露出的栅氧化层；步骤3，在硅衬底表面和栅极表面依次淀积第一侧墙层和第二侧墙层；步骤4，对侧墙进行刻蚀形成第一侧墙和第二侧墙。