发明名称 氧化物烧结体和溅射靶、以及其制造方法
摘要 本发明提供能够抑制结合工序中发生破损的氧化物烧结体、和使用该氧化物烧结体的溅射靶、以及其制造方法。本发明的氧化物烧结体是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体,氧化物烧结体的相对密度为90%以上、氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下,将铟、镓、锡的含量相对于氧化物烧结体中所含全部金属元素的比例(原子%)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时,满足30原子%≤[In]≤50原子%、20原子%≤[Ga]≤30原子%、25原子%≤[Sn]≤45原子%,并且InGaO<sub>3</sub>相满足[InGaO<sub>3</sub>]≥0.05。
申请公布号 CN105246855A 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201480030142.0 申请日期 2014.11.28
申请人 株式会社钢臂功科研;株式会社神户制钢所 发明人 田尾幸树;广濑研太;慈幸范洋;越智元隆
分类号 C04B35/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C04B35/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张玉玲
主权项 一种氧化物烧结体,其特征在于,是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体,其中,所述氧化物烧结体的相对密度为90%以上,所述氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下,将铟、镓、锡的含量相对于所述氧化物烧结体中所含除氧以外的全部金属元素的比例(原子%)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时,满足下述式(1)~(3),并且,对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时,InGaO<sub>3</sub>相满足下述式(4),30原子%≤[In]≤50原子%···(1)20原子%≤[Ga]≤30原子%···(2)25原子%≤[Sn]≤45原子%···(3)[InGaO<sub>3</sub>]≥0.05···(4)其中,[InGaO<sub>3</sub>]=(I(InGaO<sub>3</sub>)/(I(InGaO<sub>3</sub>)+I(In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)+I(SnO<sub>2</sub>))式中,I(InGaO<sub>3</sub>)、I(In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、和I(SnO<sub>2</sub>)分别是利用X射线衍射确定的InGaO<sub>3</sub>相、In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>相、SnO<sub>2</sub>相的衍射强度的测定值。
地址 日本国兵库县