| 发明名称 |
包含湿蚀刻制程以移除氮化矽之半导体结构形成方法 |
| 摘要 |
于本文的方法包括：提供包含电晶体的半导体结构，该电晶体包含闸极电极与形成于该闸极电极的氮化矽侧壁间隔体。执行湿蚀刻制程。该湿蚀刻制程移除该氮化矽侧壁间隔体之至少一部份。该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中之至少一者的蚀刻剂。
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| 申请公布号 |
TWI517251 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW102126235 |
申请日期 |
2013.07.23 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
瑞梅尔 贝斯尔德;拜耳 史芬;方 柯努盖 约翰纳斯 |
| 分类号 |
H01L21/311(2006.01);C09K13/00(2006.01);C09K13/08(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种制造积体电路装置之方法，系包含：提供包含形成于半导体层中及该半导体层上方之电晶体的半导体结构，该电晶体包含闸极电极、形成于该闸极电极的氮化矽侧壁间隔体、以及位于该氮化矽侧壁间隔体与该闸极电极之间并位于该氮化矽侧壁间隔体下方之衬里层，其中，该氮化矽侧壁间隔体之至少一个悬突系形成于该半导体层之暴露部份上方；以及执行移除该氮化矽侧壁间隔体之至少一部份的湿蚀刻制程，其中，该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中之至少一者的蚀刻剂。
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| 地址 |
美国 |
