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发明名称 MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung
摘要
申请公布号 DE19811297(B4) 申请公布日期 2009.03.19
申请号 DE1998111297 申请日期 1998.03.16
申请人 FUJI ELECTRIC CO. LTD. 发明人 FUJIHARA, TATSUHIKO;NISHIMURA, TAKEYOSHI;KOBAYASHI, TAKASHI
分类号 H01L27/06;H01L23/62;H01L27/02;H01L29/40;H01L29/78;H01L29/866 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
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