| 发明名称 | 制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 | ||
| 摘要 | 一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通道；将单晶硅衬底在含氧气氛中进行退火。本发明的优点在于，在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，缺陷空洞层作为氧化硅团聚体形核提供了高密度的形核中心，加速了氧化硅团聚体的形核和长大，减少或完全代替注氧隔离工艺(SIMOX)中形成连续二氧化硅绝缘埋层中氧的注入剂量。同时，缺陷空洞层中的空体积将吸收由于氧化硅团聚体形成而产生的体积膨胀效应，减少顶层硅与BOX层界面的应力，提高SOI材料的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101388331A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810202084.1 | 申请日期 | 2008.10.31 |
| 申请人 | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 欧欣;王曦;张苗 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人 | 翟 羽 |
| 主权项 | 1. 一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通道；将单晶硅衬底在含氧气氛中进行退火。 | ||
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||