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发明名称
半导体装置以及制造半导体装置的方法
摘要
本发明提供一种半导体装置,其中可降低由于外部的应力所造成之诸如裂纹、裂缝、或凹痕的损坏;此外,可增加具有小厚度之半导体装置的产能。该半导体装置包含透光基板,其具有步阶之侧表面,其在步阶上方且接近于一表面的宽度系比该步阶下方之部分中的宽度更小;半导体元件层,系设置于该透光基板的另一表面之上;以及第一透光树脂层及第二透光树脂层之堆叠,该堆叠覆盖该透光基板之该一表面及部分之该侧表面,该第一透光树脂层及该第二透光树脂层的其中之一者具有彩色。
申请公布号
TWI427777
申请公布日期
2014.02.21
申请号
TW098102590
申请日期
2009.01.22
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树;山崎舜平
分类号
H01L27/14;H01L31/04;H01L21/304
主分类号
H01L27/14
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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