| 发明名称 | 一种阵列基板及其制成方法、显示面板 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种阵列基板及其制成方法、显示面板。其中，该阵列基板，包括基板和多个TFT，所述TFT包括设置在所述基板上的栅极、栅绝缘层、沟道层、蚀刻阻挡层、源极和漏极，所述栅绝缘层叠置在所述栅极和沟道层之间，以将所述栅极和沟道层绝缘，所述蚀刻阻挡层、源极和漏极分别设置在所述沟道层上，且所述刻蚀阻挡层设置在所述源极和漏极之间；其中，所述刻蚀阻挡层为AlN薄膜。通过上述方式，能够保证TFT的质量，且提高刻蚀阻挡层的成膜速率。 | ||
| 申请公布号 | CN105161494A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510346979.2 | 申请日期 | 2015.06.19 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 王质武 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，包括基板和多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括设置在所述基板上的栅极、栅绝缘层、沟道层、蚀刻阻挡层、源极和漏极，所述栅绝缘层叠置在所述栅极和沟道层之间，以将所述栅极和沟道层绝缘，所述蚀刻阻挡层、源极和漏极分别设置在所述沟道层上，且所述刻蚀阻挡层设置在所述源极和漏极之间；其中，所述刻蚀阻挡层为氮化铝AlN薄膜。 | ||
| 地址 | 518006 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 | ||