| 摘要 |
<p>스루풋을 대폭으로 저하시키는 일 없이 전자의 이동도를 더 향상시킬 수 있는 실리콘층의 결정화 방법을 제공한다. 기판 S에 있어서 노출하는 산화규소층(55)의 표면에 SPM 세정이나 APM 세정을 실시하여, CVD에 의해 산화규소층(55)상에 비정질 실리콘으로 이루어지는 실리콘층(56)을 형성하고, 기판 S를 마이크로파 처리 장치(10)의 챔버(11)의 내부에 반입하고, 기판 S에 마이크로파를 전방위로부터 조사하여 기판 S를 가열하는 마이크로파 가열을 실행하고, 그 후, 기판 S를 가열로의 내부에 반입하여 기판 S의 실리콘층(56)을 히터 등에 의해 가열하는 통상 가열을 실행하고, 실리콘층(56)을 비정질 실리콘층으로부터 폴리실리콘층으로 변성시킨다.</p> |
