METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM

摘要

(과제) 표면 러프니스가 양호한 실리콘 산화물막을 얻는 것이 가능한 실리콘 산화물막의 성막 방법을 제공하는 것이다. (해결 수단) 하지(1) 상에 시드층(2)을 형성하는 공정과, 시드층(2) 상에 실리콘막(3)을 형성하는 공정과, 실리콘막(3) 및 시드층(2)을 산화시켜, 하지(1) 상에 실리콘 산화물막(4)을 형성하는 공정을 구비한다.