发明名称 |
一种电容器用掺混纳米碳化硼负载石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电容器用掺混纳米碳化硼负载石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜,该复合薄膜在聚酰亚胺薄膜制备过程中掺混纳米碳化硼、石墨烯等填料,并将石墨烯负载在经预处理后的纳米碳化硼上,以提高其分散性和利用率,再利用在有机溶剂中具有良好稳定性的聚乙烯醇膜对粉体进行包覆处理,而经过硅烷偶联剂表面改性处理后的复合粉体与有机胶液界面相容性好,更易分散均匀,这种复合填料能稳定高效的提高材料的介电性能,兼具高的介电常数和低的介电损耗,最后制备得到的复合薄膜材料较单纯的聚酰亚胺薄膜在介电性能上获得极大改善,且仍保持优良的力学性能和加工性能,应用前景良好。 |
申请公布号 |
CN105038228A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510478674.7 |
申请日期 |
2015.08.03 |
申请人 |
铜陵市胜达电子科技有限责任公司 |
发明人 |
唐彬;唐发根 |
分类号 |
C08L79/08(2006.01)I;C08K9/12(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K3/38(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I |
主分类号 |
C08L79/08(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
方琦 |
主权项 |
一种电容器用掺混纳米碳化硼负载石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜由以下重量份的原料制备得到:均苯四甲酸二酐10‑12、4,4<sup>,</sup>‑二氨基二苯基醚8‑10、N‑乙烯基吡咯烷酮3‑5、N,N‑二甲基乙酰胺20‑25、纳米碳化硼2‑3、石墨烯0.01‑0.02、无水乙醇3‑5、硅烷偶联剂0.1‑0.2、甲基丙烯酸羟乙酯0.4‑0.5、聚乙烯醇0.1‑0.2、水4‑5。 |
地址 |
244000 安徽省铜陵市经济技术开发区翠湖四路西段5105号 |