一种光电化学刻蚀设备

摘要

本实用新型公开了一种光电化学刻蚀设备，用于制备高深宽比硅微纳结构的加工。由左右两个腔体合并组成的腔室，在左腔体上固定有作为阳极的硅片，硅片的背后有铜圈，所述的铜圈中间设有通孔，通孔内放置光源；所述的右腔体中设有作为阴极的铂金片，并通过实心铜圈固定于硅片相对的位置，还包括用于连接左右两个腔体的主腔体上。在外部设备——蠕动泵，电源，灯源的配合下，将硅片作为阳极，铂金片作为阴极置于HF中，即可制得高深宽比较高的多孔硅。是一种无需掩膜，价格低廉，操作简单的光电化学刻蚀设备。

主权项

一种光电化学刻蚀设备，其特征在于：包括左腔体，作为阳极的硅片固定在左腔体上；包括空心铜圈，设置在硅片的背后，所述的空心铜圈中间设有通孔；包括光源，所述的光源放置在空心铜圈的通孔内；包括右腔体，右腔体中设有作为阴极的铂金片；包括实心铜圈，用于将铂金片固定于硅片相对的位置；包括主腔体，用于连接左腔体和右腔体，并使两个腔体合并组成一个刻蚀腔腔室；所述的腔室内装满刻蚀液氢氟酸。