一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法

摘要

本发明公开了一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法。本方法具体步骤如下：第一步，熔源的称量，第二步，熔源的两次高温熔融，第三步：生长。本方法特征在于Sb组分并非按照相图配制。本发明的优点在于：可以在低温下获得GaAs_1-xSb_x变组分薄膜，且制备工艺简单，工艺成本低，晶体质量高。

主权项

一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延分方法，其特征在于方法步骤如下：第一步，熔源的称量，按照相图配制550℃相同总质量的GaAs熔源组分三份，然后根据掺杂原理分别称量GaAs熔源总质量的0.5％、1％、1.5％的Sb组分；第二步，熔源的两次高温熔融，第一次高温熔源将三份GaAs熔源在650℃熔融3h，然后降温至550℃推舟使熔源与GaAs单晶衬底接触以获得稳定组分的熔源，接着再次升温到650℃恒温1h得到混合均匀的初始熔源材料；第二次高温熔融，将三份纯度为7N的Sb粉末分别加入三份初始熔源并在650℃下恒温2小时，得到生长熔源；第三步：生长工艺如下，将在650℃下恒温2小时的生长熔源以10℃/min的降温速率降温至生长温度，生长温度随Sb组分的不同要有所调节，恒温15分钟，然后以0.2℃/min的降温速率降温15min，接着推动滑舟使熔源与GaAs衬底接触，进行GaAs_1‑xSb_x薄膜的生长5min，最后推开熔源获得GaAs_1‑xSb_x薄膜。