| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치의 배선 전압 인가 방법에 관한 것으로, 복수의 액티브(active) 영역들 및 복수의 액티브 영역들을 서로 절연시키는 필드(field) 영역을 가지고, 필드 영역에는 복수의 배선들이 형성된 반도체 장치의 배선 전압 인가 방법으로서, 복수의 배선들 중 적어도 하나에 반도체 장치의 동작에 필요한 동작 전압을 인가하고, 복수의 배선들 중 복수의 액티브 영역들 중 적어도 하나에 인접한 배선에 동작 전압보다 낮은 전압을 인가함으로써, 필드 영역의 배선에 의해 형성될 수 있는 가상의 기생 트랜지스터에 의한 누설 전류를 줄일 수 있다.</p> |
