发明名称 一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法
摘要 本发明涉及一种忆阻器,具体涉及一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法。一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器的制备方法,先分别配制反应液和缓冲液;混合反应液和缓冲液,构成沉积液;在沉积液中,通过三电极法,以恒定电压,沉积氧化物薄膜本发明提供了一种制备工艺步骤简单、制作成本低、可重复性强的忆阻器阻变层的制备方法。
申请公布号 CN104979363A 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201510345417.6 申请日期 2015.06.19
申请人 北京科技大学 发明人 张跃;孙一慧;闫小琴;郑鑫;申衍伟;刘怿冲
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;C25D9/08(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人 皋吉甫
主权项 一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器,其特征在于,所述忆阻器包括衬底层、底电极层、阻变层及顶电极,所述衬底层、底电极层及阻变层依次设置,所述顶电极设置在阻变层相反于底电极层的一侧。
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