发明名称 |
一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种忆阻器,具体涉及一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法。一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器的制备方法,先分别配制反应液和缓冲液;混合反应液和缓冲液,构成沉积液;在沉积液中,通过三电极法,以恒定电压,沉积氧化物薄膜本发明提供了一种制备工艺步骤简单、制作成本低、可重复性强的忆阻器阻变层的制备方法。 |
申请公布号 |
CN104979363A |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201510345417.6 |
申请日期 |
2015.06.19 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
张跃;孙一慧;闫小琴;郑鑫;申衍伟;刘怿冲 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;C25D9/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
代理人 |
皋吉甫 |
主权项 |
一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器,其特征在于,所述忆阻器包括衬底层、底电极层、阻变层及顶电极,所述衬底层、底电极层及阻变层依次设置,所述顶电极设置在阻变层相反于底电极层的一侧。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |