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불소원자, 불소원자를 갖는 기, 규소원자를 갖는 기, 탄소수가 6개 이상인 알킬기, 탄소수가 6개 이상인 시클로알킬기, 탄소수가 9개 이상인 아릴기, 탄소수가 10개 이상인 아랄킬기, 적어도 1개의 탄소수 3개 이상의 알킬기로 치환된 아릴기, 및 적어도 1개의 탄소수 5개 이상의 시클로알킬기로 치환된 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 갖는 수지(Aa)와, 산의 작용에 의해 극성이 변화되는 수지(Ab)를 함유하는 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물을 이용하여 막을 형성하는 공정(1), 상기 막을 전자선 또는 극자외선을 이용하여 노광하는 공정(2), 및 노광 후에 유기용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상을 행하고, 네거티브형의 패턴을 형성하는 공정(3)을 이 순서로 포함하는 패턴형성방법으로서, 상기 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물 중의 고형분에 대한 수지(Aa)의 함유율이 31∼90질량%인 패턴형성방법에 의해 초미세(예를 들면, 수십 nm 오더)의 라인 폭 또는 스페이스 폭을 갖는 패턴의 형성에 있어서, 양호한 패턴 형상, 및 높은 아웃가스 성능을 동시에 만족하는 패턴형성방법을 제공한다. 또한, 상기 패턴형성방법에 사용되는 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물, 상기 패턴형성방법을 사용한 레지스트 막, 전자 디바이스의 제조방법, 및 전자 디바이스를 제공한다. |
