半导体装置及其制造方法

摘要

本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于：该制造方法具有：在基体层形成包含元件的至少一部分的器件部的器件部形成工序、对所述基体层离子注入剥离用物质形成剥离层的剥离层形成工序、把已形成有所述器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到所述基板的所述基体层加热沿着所述剥离层分离去除该基体层的未形成所述器件部的所述基体层的深度方向的一部分的分离工序，该制造方法包括：在所述分离工序之后进行的、用来调整所述元件的P型区域的杂质浓度在所述基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。