发明名称 |
提高浮栅擦除效率的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高浮栅擦除效率的方法,该方法包括:在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层-氮化层-氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层;在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶,并图案化该光阻胶,以该图案化的光阻胶为掩膜,依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层,形成两个CG;在每个CG的两侧形成CG侧壁层;在所述CG侧壁层的外侧形成一牺牲层;以所述CG侧壁层、牺牲层以及CG为掩膜,刻蚀FG多晶硅层,形成FG;去除所述牺牲层;在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜,所述多晶硅膜最终将形成擦除栅EG。采用该方法能够有效提高浮栅的擦除效率。 |
申请公布号 |
CN101882576A |
申请公布日期 |
2010.11.10 |
申请号 |
CN200910083467.6 |
申请日期 |
2009.05.06 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
李勇;刘艳;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 |
分类号 |
H01L21/283(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/283(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
牛峥;王丽琴 |
主权项 |
一种提高浮栅擦除效率的方法,该方法包括:在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层-氮化层-氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层;在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶,并图案化该光阻胶,以该图案化的光阻胶为掩膜,依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层,形成两个CG;在每个CG的两侧形成CG侧壁层;在所述CG侧壁层的外侧形成一牺牲层;以所述CG侧壁层、牺牲层以及CG为掩膜,刻蚀FG多晶硅层,形成FG;去除所述牺牲层;在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜,所述多晶硅膜最终将形成擦除栅EG。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 |