| 发明名称 | 一种SERS基底及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SERS基底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体直接对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；覆盖金属层。该方法形成的SERS基底，可以有效增强拉曼散射信号，工艺简单且可控性强，适用于大规模的商业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104931480A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510338662.4 | 申请日期 | 2015.06.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 毛海央;唐力程 |
| 分类号 | G01N21/65(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;江怀勤 |
| 主权项 | 一种SERS基底的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；覆盖金属层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||