发明名称 |
MEMS半导体器件的形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种MEMS半导体器件的形成方法,至少包括:提供形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫的第一半导体衬底,所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层;提供第二半导体衬底,在所述第二半导体衬底上形成有连接结构,所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应;将所述第一铝焊垫和连接结构连接,以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合;采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域,使得所述第二铝焊垫暴露出来;去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。本发明通过改变传统技术中形成MEMS半导体器件的形成方法的工艺,解决了在切割第二半导体衬底时,产生颗粒,所述颗粒会附着在第二铝焊垫的表面,难以去除的问题。 |
申请公布号 |
CN104925743A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201410109684.9 |
申请日期 |
2014.03.21 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
郑超;王伟;马军德 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种MEMS半导体器件的形成方法,其特征在于,所述MEMS半导体器件的形成方法至少包括:提供第一半导体衬底,在所述第一半导体衬底上形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫,所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层;提供第二半导体衬底,在所述第二半导体衬底上形成有连接结构,所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应;将所述第一铝焊垫和所述连接结构连接,以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合;采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域,使得所述第二铝焊垫暴露出来;去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |