发明名称 MEMS半导体器件的形成方法
摘要 本发明提供一种MEMS半导体器件的形成方法,至少包括:提供形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫的第一半导体衬底,所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层;提供第二半导体衬底,在所述第二半导体衬底上形成有连接结构,所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应;将所述第一铝焊垫和连接结构连接,以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合;采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域,使得所述第二铝焊垫暴露出来;去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。本发明通过改变传统技术中形成MEMS半导体器件的形成方法的工艺,解决了在切割第二半导体衬底时,产生颗粒,所述颗粒会附着在第二铝焊垫的表面,难以去除的问题。
申请公布号 CN104925743A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201410109684.9 申请日期 2014.03.21
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 郑超;王伟;马军德
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种MEMS半导体器件的形成方法,其特征在于,所述MEMS半导体器件的形成方法至少包括:提供第一半导体衬底,在所述第一半导体衬底上形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫,所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层;提供第二半导体衬底,在所述第二半导体衬底上形成有连接结构,所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应;将所述第一铝焊垫和所述连接结构连接,以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合;采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域,使得所述第二铝焊垫暴露出来;去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号