一种超结结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种超结结构的制备方法，属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤：1)在衬底上制备第一N型外延层，并在需要制作P型柱的区域刻蚀出沟槽；2)在步骤1)形成的沟槽中填充P型材料，并平坦化表面；3)在平坦化处理后的第一N型外延层和填充的P型材料上形成第二N型外延层，并在需要制作P型柱的区域刻蚀出沟槽；4)在步骤3)形成的沟槽中填充P型材料，并平坦化表面；5)重复步骤3)、4)的“外延-刻槽-填充”过程，直至达到超结结构的耐压要求。本发明采用多次“外延-刻槽-填充”的方法实现了较大深宽比槽的刻蚀和填充，且可以得到P、N条宽较小的超结结构，有效降低了超结结构的导通电阻，优化了超结结构的性能。

主权项

一种超结结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上制备第一N型外延层，并在需要制作P型柱的区域刻蚀出沟槽；步骤2：在步骤1形成的沟槽中填充P型材料，并平坦化表面；步骤3：在平坦化处理后的第一N型外延层和填充的P型材料上形成第二N型外延层，并在需要制作P型柱的区域刻蚀出沟槽；步骤4：在步骤3形成的沟槽中填充P型材料，并平坦化表面；步骤5：重复步骤3、4的“外延‑刻槽‑填充”过程，直至达到超结结构的耐压要求。