发明名称 |
具有通桥导电穿孔信号连接之嵌入式多重装置桥接器;EMBEDDED MULTI-DEVICE BRIDGE WITH THROUGH-BRIDGE CONDUCTIVE VIA SIGNAL CONNECTION |
摘要 |
一微电子结构包含一基体,该基体具有一第一表面以及自该基体第一表面延伸进入该基体之一孔腔、附接至该基体第一表面的一第一微电子装置及一第二微电子装置、以及一桥接器,其配置在该基体孔腔之内且附接至该第一微电子装置及附接至该第二微电子装置。该桥接器包含自该桥接器之一第一表面延伸至一相对第二表面之复数个导电穿孔,其中该等导电穿孔电气式耦合以将电气信号自该基体传递至该第一微电子装置及该第二微电子装置。该桥接器进一步地产生在该第一微电子装置及该第二微电子装置之间的至少一电气信号连接。 |
申请公布号 |
TW201535660 |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
TW104101977 |
申请日期 |
2015.01.21 |
申请人 |
英特尔公司 INTEL CORPORATION |
发明人 |
戴斯潘迪 尼亭A DESHPANDE, NITIN A.;卡哈迪 欧姆卡G KARHADE, OMKAR G. |
分类号 |
H01L23/538(2006.01);H01L21/70(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |