发明名称 |
涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法 |
摘要 |
涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法。该复合吸波材料由式(Ⅰ)所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35重量份、电损耗材料添加剂5~40重量份,涂层基材20~60重量份均匀混合组成,其中的二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂应为30~60份;涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂组成。该复合吸波材料可方便地喷凃于任何形状的金属基材表面,生成坚韧弹性的轻质,宽频及强吸收的吸波凃层,吸波范围可广泛盖复S、X及Ku波段的2~16GHz频段。<img file="dest_path_image002.GIF" wi="264" he="174" />(Ⅰ)。 |
申请公布号 |
CN103725080B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201310702497.7 |
申请日期 |
2013.12.19 |
申请人 |
四川师范大学 |
发明人 |
林云;刘欢;林展如 |
分类号 |
C09D7/12(2006.01)I;C09D127/06(2006.01)I;C09D127/22(2006.01)I;C09D147/00(2006.01)I;C09D133/08(2006.01)I;C09D167/02(2006.01)I;C09D163/00(2006.01)I;C09D175/04(2006.01)I;C09D181/04(2006.01)I;C09D111/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09D7/12(2006.01)I |
代理机构 |
成都立信专利事务所有限公司 51100 |
代理人 |
濮家蔚 |
主权项 |
涂层型二茂铁高分子磁体‑半导体配合物复合吸波材料,其特征是由式(Ⅰ)所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体‑半导体配合物10~35份、电损耗材料添加剂5~40重量份,涂层基材20~60重量份,且二茂铁高分子磁体‑半导体配合物和电损耗材料添加剂之和为30~60重量份组成,其中,涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂以及余量的稀释溶剂组成,<img file="dest_path_image001.GIF" wi="265" he="174" />(Ⅰ)式中的n为5~l2的整数;M为Fe,Cd,Cr或Mn;式(Ⅰ)中的半导体基元R为<img file="dest_path_image002.GIF" wi="60" he="35" />,<img file="dest_path_image003.GIF" wi="60" he="43" />,<img file="dest_path_image004.GIF" wi="49" he="36" />,<img file="dest_path_image005.GIF" wi="51" he="37" />中的一种;所说的电损耗材料添加剂为导电炭黑,碳纤维,碳化硅纤维,铜纤维,羰基铁纤维,碳纳米管,纳米碳化硅粉,Si‑C‑N纳米陶瓷粉体或Si‑C‑N‑O纳米陶瓷粉体中的一种; 所说的涂料树脂为聚烯烃类、聚酯类,聚乙烯醇缩甲醛,聚甲基苯基硅氧烷,三聚氰胺甲醛树脂,醇酸树脂,环氧树脂类,聚氨酯类,合成橡胶类成分中的一种;所说的涂料树脂固化剂为胺类成分,酸酐类成分,聚乙二醇中的一种;所说的固化剂促进剂为苯酚,间苯二酚,吡啶中的一种。 |
地址 |
610066 四川省成都市锦江区静安路5号 |