提高纳米线和FINFET的ION/IOFF比率

摘要

概述地，集成电路晶体管结构具有半导体材料的本体，本体具有两个纵向间隔的两者之间具有沟道的掺杂源极区域/漏极区域，布置在本体外并且沿着沟道面向本体表面的至少一个的栅极堆叠。本体包含调整区域，纵向地在沟道区域内并且以第一距离间隔在第一表面背后以及纵向地从源极区域/漏极区域间隔开。调整区域包括调整区域材料，在每个纵向位置处具有不同于在相同纵向位置处相邻本体材料的导电率，至少当晶体管在关断状态时。在一个实施例中调整区域材料是电介质。在另一实施例中调整区域材料是电导体。

主权项

一种集成电路晶体管结构，包括：半导体材料的本体，所述本体具有纵向间隔开的掺杂的第一和第二源极区域/漏极区域，并且进一步具有至少第一表面，所述本体进一步具有纵向地位于所述第一和第二源极区域/漏极区域之间的沟道区域；栅极导体，布置在所述本体外，所述栅极导体具有面向所述第一表面并且至少部分地沿着所述沟道区域的至少一部分纵向定位的第一部分；以及电介质材料，在所述栅极导体与所述本体的所述第一表面之间，所述本体包含调整区域，所述调整区域纵向地在所述沟道区域内并且以第一距离间隔在所述第一表面背后，以及与所述第一和第二源极区域/漏极区域纵向地间隔开，其中所述调整区域包括调整区域材料，所述调整区域材料在每个纵向位置处具有至少当所述晶体管在关断状态时与在相同纵向位置处的相邻本体材料不同的导电率。