| 发明名称 | 功率器件的制造方法及功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种功率器件的制造方法及功率器件，其中制造方法包括：在形成有截止环、划片道区、分压区和有源区的半导体芯片上，对所述截止环和划片道区进行刻蚀，以去除所述截止环和划片道区的设定厚度；在所述截止环和划片道区的表面注入离子，以形成损伤层。本发明提供的功率器件的制造方法及功率器件能够解决现有的功率器件的截止环占用面积较大的问题，以提高半导体芯片的利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN104810246A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201410043913.1 | 申请日期 | 2014.01.29 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种功率器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成有截止环、划片道区、分压区和有源区的半导体芯片上，对所述截止环和划片道区进行刻蚀，以去除所述截止环和划片道区的设定厚度；在所述截止环和划片道区的表面注入离子，以形成损伤层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||