| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在一实施方式中的半导体器件中，结型场效应晶体管的栅极区域(GR)具有低浓度栅极区域(LGR)和杂质浓度比低浓度栅极区域(LGR)高的高浓度栅极区域(HGR)，且高浓度栅极区域(HGR)内包于低浓度栅极区域(LGR)中。降低结型FET的导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104810407A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201410419944.2 | 申请日期 | 2014.08.22 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 新井耕一 |
| 分类号 | H01L29/808(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/808(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包含结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：(a)成为电流通路的第1导电型的沟道区域；以及(b)与所述第1导电型相反的第2导电型的一对栅极区域，所述一对栅极区域形成为夹持所述沟道区域，所述半导体器件的特征在于，所述一对栅极区域的每一个具有：(b1)低浓度栅极区域；以及(b2)杂质浓度比所述低浓度栅极区域高的高浓度栅极区域，所述高浓度栅极区域内包于所述低浓度栅极区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||