| 发明名称 | 薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 对从浮法锡浴出来的退火过程中的平板玻璃，使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO<sub>2</sub>薄膜时的成膜速度的改善。一种SiO<sub>2</sub>薄膜的形成方法，它是一种使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO<sub>2</sub>薄膜的方法，其特征在于，作为原料气体供给方式，使用分别供给作为主原料气体的含有甲硅烷SiH<sub>4</sub>的操作气体1和作为副原料气体的含有氧O<sub>2</sub>的操作气体2，使所述操作气体1、2在玻璃基板上混合的后混合方式的原料供给装置；所述甲硅烷SiH<sub>4</sub>的每单位宽度的流量为1.0NL/分钟·米以上，所述操作气体1以与甲硅烷SiH<sub>4</sub>的浓度比C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>(摩尔％)/SiH<sub>4</sub>(摩尔％)在3.2以下的量的条件含有乙烯C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN104812717A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201380061391.1 | 申请日期 | 2013.11.25 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 关淳志;西田航;广松邦明 |
| 分类号 | C03C17/245(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H02S40/22(2014.01)I | 主分类号 | C03C17/245(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 金明花;刘多益 |
| 主权项 | 一种SiO<sub>2</sub>薄膜的形成方法，它是一种使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO<sub>2</sub>薄膜的方法，其特征在于，作为原料气体供给方式，使用分别供给作为主原料气体的含有甲硅烷SiH<sub>4</sub>的操作气体1和作为副原料气体的含有氧O<sub>2</sub>的操作气体2，使所述操作气体1、2在玻璃基板上混合的后混合方式的原料供给装置；所述甲硅烷SiH<sub>4</sub>的每单位宽度的流量为1.0NL/分钟·米以上，所述操作气体1以与甲硅烷SiH<sub>4</sub>的浓度比C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>(摩尔％)/SiH<sub>4</sub>(摩尔％)在3.2以下的量的条件含有乙烯C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||