记忆体元件及其形成方法与半导体元件的形成方法;MEMORY DEVICE AND METHODS OF FORMING MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

提供一种记忆体元件的形成方法。于基底上形成第一导体层。图案化所述第一导体层，以于所述第一导体层中形成至少二沟渠，其中所述沟渠沿第一方向延伸。于所述沟渠的表面上以及所述第一导体层的表面上形成绝缘层。于所述绝缘层上形成第二导体层。图案化所述第二导体层，以形成至少一控制闸极，所述控制闸极沿第二方向延伸，所述第二方向不同于所述第一方向。图案化所述第一导体层，以形成至少一浮置闸极以及选择闸极，所述至少一浮置闸极位于所述控制闸极下方，且所述选择闸极邻近所述控制闸极。