| 摘要 |
<p>칼로겐 물질의 메모리 영역(3)과 히터 엘리먼트(2)를 갖는 위상 변경 메모리 소자(10)가 개시된다. 메모리 영역은 히터 엘리먼트와 전기적 및 열적 접촉하는 위상 변경 부분(5)을 가지며, 메모리 엘리먼트의 나머지 부분(4)과 히터 엘리먼트 사이에 제 1 전류 경로를 형성한다. 위상 변경 부분(5)은 메모리 영역에 저장된 정보에 상관된 크기를 가지며 나머지 부분(4)보다 더 높은 저항률을 갖는다. 병렬 전류 경로(11)는 메모리 엘리먼트의 나머지 부분(4)과 히터 엘리먼트(2) 사이에서 연장하고, 위상 변경 부분(5)의 크기에 의존하고 위상 변경 부분(5)보다 더 낮은 저항을 가지기 때문에, 위상 변경 메모리 소자의 총 저항을 조절할 수 있다.</p> |
